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SK 200 GD 066 T /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SK 200 GD 066 T的规格信息
SK 200 GD 066 T的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current174 A

Collector to Emitter Shorted Voltage600 V

Collector to Emitter Voltage600 V

ConfigurationArray

Continuous Collector Current174 A

Dimensions55 x 60.25 x 12 mm

Energy Rating25.9 mJ

Gate Capacitance12.2 nF

Gate to Emitter Voltage±20 V

Height0.472" (12mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Mounting TypeThrough Hole

Number of Pins22

Package TypeGD-T

PolarityN-Channel

Primary TypeSi

Product HeaderN-Channel IGBT Module

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

Transistor TypeIGBT

TypeTrench

Width2.372" (60.25mm)

供应商SK 200 GD 066 T
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